Diodos Zener

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 56V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1.5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 6.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 6.2V. Tensão Zener: 6.2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 62V. Tensão Zener: 62V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 68V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Tensão Zener: 7.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 8.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. VRRM: 8.2V. Tensão Zener: 8.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 82V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Tensão Zener: 9.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation