Diodos Zener

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Carcaça (padrão JEDEC): DO-35. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 8.2V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 0,5 W (25°C), 5%. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 4.5 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Carcaça (padrão JEDEC): DO-35. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 0,5 W (25°C), 5%. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 100V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: Diotec ZYP100. Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO35. Tensão Zener: 29V. Função: Z-IC. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AH. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 30..32V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. RoHS: NINCS. Família de componentes: diodo Zener . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 12 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -20°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO35. Tensão Zener: 33V. Função: Z-IC. Nota: -ITT. Nota: com compensação de temperatura. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. VRRM: 32V

Tensão Zener: 9V. Carcaça: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W. Com compensação de temperatura: sim

Corrente direta (AV): 10.5mA. Nota: M4 Thread. Tolerância: 5%. VRRM: 36V

Corrente direta (AV): 40mA. Spec info: M4 Thread. Tolerância: 5%. VRRM: 27V

Corrente direta (AV): 22mA. Nota: M4 Thread. Tolerância: 5%. VRRM: 47V

Corrente direta (AV): 20mA. Nota: M4 Thread. Tolerância: 5%. VRRM: 51V

Corrente direta (AV): 130mA. Nota: M4 Thread. Tolerância: 5%. VRRM: 8.2V

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 100V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 100V

Carcaça: DO-41. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 110V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 50V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: DO-41. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 12V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 120V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 130V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 130V

Carcaça: DO-41. Tensão Zener: 15V. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 150V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z150. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 160V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tensão Zener: 180V. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C