Diodos Zener

Corrente direta (AV): 130mA. Nota: M4 Thread. Tolerância: 5%. VRRM: 8.2V

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 10V. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. VRRM: 10V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 100V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 100V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 110V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 110V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 12V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 120V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 130V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 130V

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 15V. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 150V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z150. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 160V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 18V. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 180V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 180V. RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z200. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 22V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 24V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 24V. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 27V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 27V. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. VRRM: 27V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 33V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 33V

Tensão Zener: 36V. Carcaça: DO-15. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 2W

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 39V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 47V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 47V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 5.6V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 56V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C