Diodos Zener

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z200. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 22V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 24V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 27V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: DO-41. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 33V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 17V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 8 Ohms @ 25mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 39V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 47V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 47V

Carcaça: DO-41. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 56V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: DO-41. Tensão Zener: 6.2V. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 6.2V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 6.2V

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 62V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 62V

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 68V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 7.5V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Carcaça: DO-41. Tensão Zener: 8.2V. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). VRRM: 8.2V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 82V. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 9.1V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 9.1V