Diodos Zener

Corrente direta (AV): 20mA. Tolerância: 5%. VRRM: 51V

Corrente direta (AV): 130mA. Tolerância: 5%. VRRM: 8.2V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. VRRM: 10V. Tensão Zener: 10V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 100V. Tensão Zener: 100V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 110V. Tensão Zener: 110V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 12V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 120V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 130V. Tensão Zener: 130V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 15V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 15V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z150. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 150V. Tensão Zener: 150V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 160V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 180V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 180V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 20V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z200. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 22V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 24V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Tensão Zener: 24V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 27V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. VRRM: 27V. Tensão Zener: 27V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 30 v. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 33V. Tensão Zener: 33V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 36V. Potência: 2W. Carcaça: DO-15

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-15. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 39V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 2W (25°C), 5%, série ZY

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 47V. Tensão Zener: 47V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 5.6V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation