Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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ZY9-1

ZY9-1
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1 - 2 0.66€ 0.81€
3 - 4 0.62€ 0.76€
5 - 9 0.59€ 0.73€
10 - 19 0.56€ 0.69€
20 - 49 0.25€ 0.31€
50 - 99 0.24€ 0.30€
100 - 2127 0.22€ 0.27€
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1 - 2 0.66€ 0.81€
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Conjunto de 5

ZY9-1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensão Zener: 9.1V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 14:25.

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Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): 5W. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 5W (75°C), 5%, série 1N53
1N5346B
Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): 5W. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 5W (75°C), 5%, série 1N53
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Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 9.1V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+200°C
BZV85C9V1
Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão Zener: 9.1V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Dimensões: 2.6x4.8mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+200°C
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