Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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ZY200

ZY200
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ZY200. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z200. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Zener: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): 5W. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 200V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 152V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 480 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 5W (75°C), 5%, série 1N53
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