Diodos Zener

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 5.1V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 5.6V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 62V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 6.2V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 6.8V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 7.5V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 8.2V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 9.1V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Equivalentes: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão Zener: 62V. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Dimensões: 2.9x1.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão Zener: 10V. Material semicondutor: silício. Nota: SI-Z SMD. Marcação na caixa: Z9. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.5mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Zener: 11V. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.5mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -55...+150°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 11V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tensão Zener: 12V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: sim. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -55...+150°C. VRRM: 12V. Cj: 130pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Marcação na caixa: Y2. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Zener: 15V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Y4*. Equivalentes: BZX84-C15.215. Número de terminais: 3. Dimensões: 2.9x1.5mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tensão Zener: 18V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Marcação na caixa: Y6. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 18V

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. RoHS: sim. Família de componentes: Componente montado em superfície (SMD) de diodo zener de 350mW (0,35W). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 24V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Tensão Zener: 27V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Nota: SI-Z SMD. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Temperatura operacional: +65°C...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tensão Zener: 27V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD ZENER 27V. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tensão Zener: 2.7V. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . VRRM: 2.7V

Zener tensão vz: 3.3V. Zener Corrente Iz: 97mA. Potência: 0.25W. Tipo de montagem: SMD. Corrente de tensão/vazamento reversa: 1V / 5uA. Tolerância: 5%. Impedância: 350 Ohms. Série: BZX84C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Zener: 3.6V. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Dimensões: 2.9x1.3x1mm. RoHS: sim. Passo: 1.9mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.9V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C