Diodos Zener

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 3.3V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5227B, BZX79C3V6, ZPD3.6. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 3.6V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5228B, BZX79C3V9, ZPD3.9. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 3.9V

Tensão Zener: 43V. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W. Carcaça: DO-35

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 47V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5229B, BZX79C4V3, ZPD4.3. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 4.3V

Tensão Zener: 4.7V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 51V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão Zener: 5.1V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 5.6V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 62V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 0.1uA. Equivalentes: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão Zener: 6.2V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 6.8V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 7.5V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 8.2V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Equivalentes: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Tensão Zener: 9.1V

RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 62V. Número de terminais: 3

Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Z9. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.5mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão Zener: 10V. Nota: SI-Z SMD

Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.5mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Zener: 11V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 11V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 12V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -55...+150°C. VRRM: 12V. Tensão Zener: 12V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Y4*. Equivalentes: BZX84-C15.215. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 15V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000

Condicionamento: rolo. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Marcação na caixa: Y6. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 18V. Tensão Zener: 18V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000

RoHS: sim. Família de componentes: Componente montado em superfície (SMD) de diodo zener de 350mW (0,35W). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 18V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 12.6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 45 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C