Diodos Zener

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 12V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Data de produção: 2014/50. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 13V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 18V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 22V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD-Z. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 24V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2015/05. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 24V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 2.4V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 2.7V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. VRRM: 2.7V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 30 v. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Tensão Zener: 36V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Dimensões: 3.4x1.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: SI-Z SMD

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 40uA. RM (min): 4uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3.3V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3.6V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2012/48. RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3.9V. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. VRRM: 3.9V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Material semicondutor: silício. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 4.3V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 20uA. RM (min): 1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 4.7V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2014/45. RM (máx.): 10uA. RM (min): 0.5uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 5.6V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 6.8V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Data de produção: 2014/44. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 6.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 7.5V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 7.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80. Tensão Zener: 9.1V. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . VRRM: 9.1V. Número de terminais: 2. Nota: 3.4x1.6mm. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMA. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMA. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMA. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AC. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AB. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 150V. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener de 3W, Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C