Diodos Zener

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.9V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 10V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Material semicondutor: silício. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 12V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Data de produção: 2014/50. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 13V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 18V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 22V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD-Z. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 24V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2015/05. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 24V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 2.4V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 2.7V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Nota: SI-Z SMD. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. VRRM: 2.7V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Nota: SI-Z SMD. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Tensão Zener: 36V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Nota: SI-Z SMD. Dimensões: 3.4x1.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Nota: SI-Z SMD. RM (máx.): 40uA. RM (min): 4uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3.3V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3.6V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2012/48. RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 3.9V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. VRRM: 3.9V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Material semicondutor: silício. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 4.3V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Nota: SI-Z SMD. RM (máx.): 20uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 4.7V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2014/45. Nota: SI-Z SMD. RM (máx.): 10uA. RM (min): 0.5uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensão Zener: 5.6V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V