Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

Diodos Zener

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SMZ6-8

SMZ6-8

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener de 2W, Componente montado em superfície (SMD). Carc...
SMZ6-8
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener de 2W, Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: MELF. Carcaça (padrão JEDEC): DO-213AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.8V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
SMZ6-8
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener de 2W, Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: MELF. Carcaça (padrão JEDEC): DO-213AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.8V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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SMZ9-1

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener de 2W, Componente montado em superfície (SMD). Carc...
SMZ9-1
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener de 2W, Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: MELF. Carcaça (padrão JEDEC): DO-213AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
SMZ9-1
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener de 2W, Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: MELF. Carcaça (padrão JEDEC): DO-213AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 12V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 12V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 15V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 15V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 2.7V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 75uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 83 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 2.7V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 75uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 83 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.9V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
TSZU52C3V9RGG
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.9V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
TSZU52C4V7RGG
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
TSZU52C4V7RGG
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
TSZU52C5V1RGG
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
TSZU52C5V1RGG
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
TSZU52C5V6RGG
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD 0603. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.6V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C
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TZMC10GS08

TZMC10GS08

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. RM (máx...
TZMC10GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Tensão Zener: 10V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC10GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Tensão Zener: 10V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
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TZMC11GS08

Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: ...
TZMC11GS08
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD
TZMC11GS08
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Data de produção: 2014/50....
TZMC12GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Data de produção: 2014/50. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Tensão Zener: 12V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC12GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Data de produção: 2014/50. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Tensão Zener: 12V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
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TZMC13-GS08

TZMC13-GS08

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (...
TZMC13-GS08
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
TZMC13-GS08
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo zener de 500mW (0,5W), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD80. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 13V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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TZMC13GS08

TZMC13GS08

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Temperat...
TZMC13GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Tensão Zener: 13V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC13GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Tensão Zener: 13V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
Conjunto de 10
0.70€ IVA incl.
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TZMC18GS08

TZMC18GS08

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD Zener Diode, 0...
TZMC18GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Tensão Zener: 18V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
TZMC18GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Tensão Zener: 18V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
Conjunto de 10
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(0.57€ sem IVA)
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TZMC22GS08

TZMC22GS08

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD-Z. RM (máx.):...
TZMC22GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD-Z. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Tensão Zener: 22V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC22GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD-Z. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Tensão Zener: 22V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
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TZMC24GS08

TZMC24GS08

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data...
TZMC24GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2015/05. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 24V. Tensão Zener: 24V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
TZMC24GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2015/05. RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. VRRM: 24V. Tensão Zener: 24V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (...
TZMC2V4GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 2.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
TZMC2V4GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 2.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia,...
TZMC2V7GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. VRRM: 2.7V. Tensão Zener: 2.7V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1
TZMC2V7GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. VRRM: 2.7V. Tensão Zener: 2.7V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (...
TZMC30GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 30 v. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1
TZMC30GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 30 v. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1
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TZMC36GS08
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Dimensões: 3.4x1.6mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: 12.7k Ohms. Tensão Zener: 36V. Nota: SI-Z SMD
TZMC36GS08
Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Dimensões: 3.4x1.6mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: 12.7k Ohms. Tensão Zener: 36V. Nota: SI-Z SMD
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TZMC3V0GS08

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (...
TZMC3V0GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 40uA. RM (min): 4uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 3V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1
TZMC3V0GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 40uA. RM (min): 4uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 3V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1
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TZMC3V3GS08

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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (...
TZMC3V3GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 3.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
TZMC3V3GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 3.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data...
TZMC3V6GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2012/48. RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 3.6V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
TZMC3V6GS08
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Data de produção: 2012/48. RM (máx.): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão Zener: 3.6V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1
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