TZMC9V1GS08

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TZMC9V1GS08. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80. VRRM: 9.1V. Tensão Zener: 9.1V. Número de terminais: 2. Nota: 3.4x1.6mm. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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