Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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P50N03LD

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P50N03LD. C (pol.): 1200pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 150A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 50A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 15m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 20V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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