Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK) - P50N03A-SMD

Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK) - P50N03A-SMD
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5 - 9 1.70€ 2.09€
10 - 24 1.64€ 2.02€
25 - 49 1.61€ 1.98€
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Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK) - P50N03A-SMD. Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). DI (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (máx.): 50A. On-resistência Rds On: 5.1M Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 (D2PAK). C (pol.): 2780pF. Custo): 641pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 59.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Produto original do fabricante Niko-semi. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 04:25.

Produtos equivalentes :

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IPD50N03S2L-06
Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1900pF. Custo): 760pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Logic Level, Enhancement mode. Proteção GS: NINCS. Id(im): 200A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: PN03L06. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V
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Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1900pF. Custo): 760pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Logic Level, Enhancement mode. Proteção GS: NINCS. Id(im): 200A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: PN03L06. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V
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