Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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P50N03A-SMD

P50N03A-SMD
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P50N03A-SMD. C (pol.): 2780pF. Custo): 641pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (máx.): 50A. Pd (dissipação de energia, máx.): 59.5W. On-resistência Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 (D2PAK). Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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