Transistor de canal N, 7A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V - 2SK1058
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.77€ | 13.25€ |
| 2 - 2 | 10.23€ | 12.58€ |
| 3 - 4 | 10.01€ | 12.31€ |
| 5 - 9 | 9.69€ | 11.92€ |
| 10 - 14 | 9.47€ | 11.65€ |
| 15 - 19 | 9.15€ | 11.25€ |
| 20+ | 8.83€ | 10.86€ |
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| 1 - 1 | 10.77€ | 13.25€ |
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Transistor de canal N, 7A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V - 2SK1058. Transistor de canal N, 7A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 160V. C (pol.): 600pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: sim. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 180 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Produto original do fabricante Renesas Technology. Quantidade em estoque atualizada em 14/06/2025, 21:25.
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Transistor de canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 180V. C (pol.): 700pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicação de amplificador de alta potência. Proteção GS: NINCS. Marcação na caixa: K1529. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SJ200. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MOS de canal N de silício de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V
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