Transistor de canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530

Transistor de canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530. Transistor de canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 1mA. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-21F1B. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 900pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicação de amplificador de alta potência. Proteção GS: NINCS. Marcação na caixa: K1530. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MOS de canal N de silício de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 15/06/2025, 10:25.