Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4151

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1N4151. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Diodo Trr (mín.): 2 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de comutação ultrarrápido, Ifsm 1us 2A. RM (máx.): 50nA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão direta Vf (min): 1V. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 17:25.

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Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
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Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.3A. Ism [A]: 2A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..5uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Carcaça (padrão JEDEC): 0.45A. Tensão limite Vf (máx.): 1V. VRRM: 100V
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.3A. Ism [A]: 2A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..5uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Carcaça (padrão JEDEC): 0.45A. Tensão limite Vf (máx.): 1V. VRRM: 100V
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