Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4150

1N4150
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1N4150. Material semicondutor: silício. Função: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Corrente direta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -50...+200°C. VRRM: 50V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.3A. Ism [A]: 2A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..5uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Carcaça (padrão JEDEC): 0.45A. Tensão limite Vf (máx.): 1V. VRRM: 100V
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