Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4150

1N4150
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1 - 4 0.61€ 0.75€
5 - 9 0.58€ 0.71€
10 - 24 0.55€ 0.68€
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1N4150. Corrente direta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 50V. Material semicondutor: silício. Função: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Produto original do fabricante Diodes Inc.. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 17:25.

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VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. RoHS: sim. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Cj: 4pF. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C
1N4448
VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. RoHS: sim. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Cj: 4pF. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C
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