Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A
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Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A. Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 500pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 137 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Advanced Power MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 09:25.

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