Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840

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Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840. Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1300pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 18:25.

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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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