Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.):...
Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaç...
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVN3306F. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 35pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVN3306F. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 35pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.):...
Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. On-resistência Rds On: 10 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantidade por caixa: 1
Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. On-resistência Rds On: 10 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantidade por caixa: 1
Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A...
Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 70V. C (pol.): 298pF. Custo): 35pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. IDss (min): 0uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.5 ns. Td(ligado): 1.9 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 70V. C (pol.): 298pF. Custo): 35pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. IDss (min): 0uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.5 ns. Td(ligado): 1.9 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS