FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 30 v, 75A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SUP75N03-04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 190 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 10742pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 187W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 85A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.003 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3535pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fonte de alimentação, conversor DC/DC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. RoHS: sim. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: TrenchFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3FS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 430V. C (pol.): 5500pF. Custo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Diversos: flash, controle de estroboscópio. Função: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diodo de germânio: Supressor . Corrente do coletor: 240A. Ic(pulso): 240A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 46 ns. Tecnologia: Enhancement type. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Tensão porta/emissor VGE: 33V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2600pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. Marcação na caixa: K20J50D. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS de efeito de campo (MOSVII). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 800pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. Marcação na caixa: K6A60D. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1050pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 470pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 230 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: para reguladores de tensão de modo de comutação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 28A. Marcação na caixa: TK7P60W. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.7V. Vgs(th) mín.: 2.7V

Transistor de canal N, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10U1B. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1350pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Proteção GS: NINCS. Id(im): 30Ap. Marcação na caixa: K8A65D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v

Transistor de canal N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 0.3A. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 240V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Nível lógico. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 58 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7150pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6435pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 47 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4456pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5022pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 56 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 78 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6253pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 20V, -6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 0.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 562pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. DI (T=25°C): 0.47A. Idss (máx.): 0.47A. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB10N07. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 900ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB14N04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 120ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB35N07-E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB49N04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 600 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 75uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 45V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. Nota: serigrafia/código SMD 1NV04P. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor de canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 70V. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. Proteção GS: diodo Zener . Id(im): 14A. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: Limitação de Corrente Linear. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor de canal N, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 70V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: OMNIFET. Dissipação máxima Ptot [W]: 83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): MOSFET. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Tensão Vds(máx.): 70V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNP35N07. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 1000 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 100 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C. Usado para: Ilim= 35A IR= -50A. Tensão de entrada Vin (máx.): 18V