2SK3530-01MR
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.28€ | 20.02€ |
| 2 - 2 | 15.47€ | 19.03€ |
| 3 - 4 | 14.66€ | 18.03€ |
| 5 - 9 | 13.84€ | 17.02€ |
| 10 - 14 | 13.52€ | 16.63€ |
| 15 - 19 | 13.19€ | 16.22€ |
| 20+ | 12.70€ | 15.62€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.28€ | 20.02€ |
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2SK3530-01MR. C (pol.): 740pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 2.3 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 28A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 1.46 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 16:25.
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C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Interruptor rápido, carga de portão baixa 40nC, Crss baixo 14pF . Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção GS: NINCS
C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Interruptor rápido, carga de portão baixa 40nC, Crss baixo 14pF . Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção GS: NINCS
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