Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK3264-01MR

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2SK3264-01MR. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 28A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 1.62 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 800V. Quantidade por caixa: 1. Função: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 16:25.

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Tipo de canal: N. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Id(im): 20.8A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Vgs(th) mín.: 3.75V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 5.2A. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Número de terminais: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Proteção GS: sim
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