Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V - 2SK3264-01MR

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Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V - 2SK3264-01MR. Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 7A. On-resistência Rds On: 1.62 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 28A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET. Quantidade por caixa: 1. Função: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.

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Transistor de canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Carcaça: TO-220FP. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Id(im): 20.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 5.2A. Número de terminais: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Proteção GS: sim
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