YG911S2
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| 1 - 4 | 3.66€ | 4.50€ |
| 5 - 6 | 3.48€ | 4.28€ |
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YG911S2. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 200V. Nota: plástico . Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.
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Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Nota: GI, S. VRRM: 200V...
Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Nota: GI, S. VRRM: 200V
Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Nota: GI, S. VRRM: 200V
MUR860
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Co...
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MUR860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: diodo retificador ultra rápido
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MUR860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: diodo retificador ultra rápido
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