Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD
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5 - 9 5.30€ 6.52€
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Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD. Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1600pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 42A. Ic(pulso): 84A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 53 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 11:25.

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Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação...
HGTG20N60B3D
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Marcação na caixa: G20N60B3D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 165W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tempo de queda típico 140ns a 150°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
HGTG20N60B3D
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Marcação na caixa: G20N60B3D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 165W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tempo de queda típico 140ns a 150°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
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