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Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - IRFIBC20G

Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - IRFIBC20G
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Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - IRFIBC20G. Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 290ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 6A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 23:25.

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Transistor de canal N, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 660pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Switching. Proteção GS: NINCS
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Transistor de canal N, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 660pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Switching. Proteção GS: NINCS
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