IRF7205PBF

IRF7205PBF. C (pol.): 870pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 15A. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.