Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N
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Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N. Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 920pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 60A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 9.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 16:25.

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