Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK1358

Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK1358
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Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK1358. Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(im): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS II.5. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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Transistor de canal N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2040pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1.6us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, H.V. Id(im): 27A. Marcação na caixa: K2611. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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