Pontes retificadoras de díodos

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 1A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Passo: 7.62mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Passo: 7.62mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

Corrente nominal [A]: 0.8A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 40A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TO-269AA. Carcaça (padrão JEDEC): TO-269AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 0.8A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 40A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 10uA. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: TO-269AA (MBS). Habitação (conforme ficha técnica): MiniDIL / SLIM. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Número de terminais: 4

Corrente nominal [A]: 0.8A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 40A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TO-269AA. Carcaça (padrão JEDEC): TO-269AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 17A. Tensão de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 320A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.8x28.8x10mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 2.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 28A. Tensão de pico Urrm [V]: 1.2 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 280A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de Diodo Controlado (Graetz). Carcaça: 63x32x22mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 2.25V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 20A. Tensão de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 320A. RoHS: sim. Carcaça: 28.8x28.8x10mm. Número de terminais: 5. Tensão limite Uf [V]: 2.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 25A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Trifásico: 0. IFSM: 300A. Equivalentes: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single

Corrente nominal [A]: 35A. Tensão de pico Urrm [V]: 1700V. Corrente de pico Ifsm [A]: 475A. RoHS: sim. Carcaça: 28.5x28.5x10mm. Configuração: Parafusado. Número de terminais: 5. Tensão limite Uf [V]: 1.19V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 35A. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 475A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 28.6x28.6x7.7mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 86A. Tensão de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 530A. RoHS: sim. Carcaça: ECO-PAC1. Configuração: abas de solda. Número de terminais: 5. Tensão limite Uf [V]: 1.5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)