Pontes retificadoras de díodos

Corrente direta (AV): 8A. VRRM: 1000V. Função: Ponte retificadora. Série: KBU. Carcaça: SIL. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente nominal [A]: 8A. Tensão de pico Urrm [V]: 100V. Corrente de pico Ifsm [A]: 270A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 23.5x5.7x19.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 8A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 270A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 23.5x5.7x19.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 8A. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 270A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 23.5x5.7x19.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 0.5A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 25A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Equivalentes: MB10S. Número de terminais: 4. Passo: 2.5mm. Dimensões: 4.8x3.8x1.4mm. RoHS: sim. Spec info: espessura máxima 1,6 mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): MBF. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 0.8A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 30A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Equivalentes: MB10F. Número de terminais: 4. Passo: 2.5mm. Dimensões: 4.8x3.9x2.5mm. RoHS: sim. Spec info: espessura máxima 2,7 mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): MBF. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente nominal [A]: 0.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 32A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TO-269AA. Carcaça (padrão JEDEC): TO-269AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 0.5A. Material semicondutor: silício. Função: Retificador de rede 230V. IFSM: 30A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: B6. Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Dimensões: dimensões da caixa 4,1x4,95mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: TO-269AA (MBS). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente nominal [A]: 0.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 32A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TO-269AA. Carcaça (padrão JEDEC): TO-269AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 0.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 250V. Corrente de pico Ifsm [A]: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: MicroDIL. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 0.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 3x3x1.8mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 0.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 3x3x1.8mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 10A. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 135A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 15.1x15.1x6.3 mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 1200V. Corrente direta (AV): 68A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Função: ponte retificadora trifásica. IFSM: 300A. RM (máx.): 3mA. RM (min): 0.5mA. Dimensões das conexões: 0.75x12.3mm. Número de terminais: 5. Dimensões: 47x30x8mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 300A, t=8.3ms (60Hz) 320A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.46V. Tensão direta Vf (min): 1.46V

VRRM: 1200V. Corrente direta (AV): 86A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Função: ponte retificadora trifásica. IFSM: 530A. RM (máx.): 3mA. RM (min): 0.5mA. Dimensões das conexões: 0.75x12.3mm. Número de terminais: 5. Dimensões: 47x30x8mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): ECO-PAC 1. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Passo: 7,5 mm. Dimensões: 25x15x4.5mm

VRRM: 250V. Corrente direta (AV): 5A. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: ponte retificadora monofásica. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: B250C5000A. Número de terminais: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Habitação (conforme ficha técnica): 40x21x6.5mm. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 6A. Cj: 186pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 250A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensões: 23x17x6.5mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 3A. Função: Ponte retificadora. Especificidade: rápido. Trr: 500nsec. Tensão direta Vf: 1.3V. Série: YBS. Dimensões: 6.6x7.3x1.4mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente nominal [A]: 0.8A. Tensão de pico Urrm [V]: 250V. Corrente de pico Ifsm [A]: 40A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TO-269AA. Carcaça (padrão JEDEC): TO-269AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 1A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4

VRRM: 600V. Carcaça: SMD. Corrente retificada média (max): 0.8A. Tipo de diodo: Fase única. Série: S250

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 0.8A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 40A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: TO-269AA (MBS). Habitação (conforme ficha técnica): MiniDIL / SLIM. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 1.2V