MB10F
| Quantidade (Conjunto de 5) | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.85€ | 1.05€ |
| 3 - 4 | 0.81€ | 1.00€ |
| 5 - 9 | 0.77€ | 0.95€ |
| 10 - 19 | 0.72€ | 0.89€ |
| 20 - 49 | 0.68€ | 0.84€ |
| 50 - 99 | 0.57€ | 0.70€ |
| 100 - 116 | 0.54€ | 0.66€ |
| Quantidade (Conjunto de 5) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.85€ | 1.05€ |
| 3 - 4 | 0.81€ | 1.00€ |
| 5 - 9 | 0.77€ | 0.95€ |
| 10 - 19 | 0.72€ | 0.89€ |
| 20 - 49 | 0.68€ | 0.84€ |
| 50 - 99 | 0.57€ | 0.70€ |
| 100 - 116 | 0.54€ | 0.66€ |
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MB10F. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.5A. IFSM: 25A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Equivalentes: MB10S. Número de terminais: 4. Passo: 2.5mm. Dimensões: 4.8x3.8x1.4mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): MBF. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: espessura máxima 1,6 mm. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.
Produtos equivalentes :
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Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Co...
Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.2mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.2mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
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