Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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S1WBS60

S1WBS60
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S1WBS60. VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Produto original do fabricante Shindengen Electric. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 10:25.

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VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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