Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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DB102G. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Trifásico: 0. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--50Ap. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

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Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap
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Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap
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Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50Ap
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Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50Ap
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Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4
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