Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Trifásico: 0. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 300A. Equivalentes: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Número de terminais: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single