Pontes retificadoras de díodos

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 300mA. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 29x29mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 300mA. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 29x29mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 300A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 29x29mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Cj: 300pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 300A. Número de terminais: 4. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V

Cj: 300pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 400A. Marcação na caixa: MB256. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: MB-25. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Nota: 28x28x11.5mm

Cj: 300pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MB-256W. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: t=8.2ms

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 360A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 10uA. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.26V. Tensão direta Vf (min): 1.26V. VRRM: 800V. Número de terminais: 4

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 360A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MB25100. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.26V. Tensão direta Vf (min): 1.26V. VRRM: 1000V

Cj: 300pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: t=8.2ms

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 35A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. RM (máx.): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 35A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. Dimensões das conexões: 23x1.2mm. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: cabo

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 35A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. RM (máx.): 655uA. RM (min): 10uA. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Número de terminais: 4

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 35A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 400A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Pinagem: conexões de solda no circuito impresso . Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Material externo: carcaça de plástico com face de resfriamento. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V

Corrente direta (AV): 35A. VRRM: 1000V. IFSM: 400A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 10uA. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 35A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Material externo: carcaça de plástico com face de resfriamento. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Material externo: carcaça de plástico com face de resfriamento. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V

Pinagem: conexões de solda no circuito impresso . Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 330A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V

Cj: 300pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora, ponte retificadora de diodo. Corrente direta (AV): 50A. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MB5005. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 50A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 100V. Corrente de pico Ifsm [A]: 400A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston