Pontes retificadoras de díodos

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 35A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 400A. RM (máx.): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

Corrente nominal [A]: 35A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 35A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 400A. Dimensões das conexões: 23x1.2mm. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: cabo

Corrente nominal [A]: 35A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 35A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 400A. RM (máx.): 655uA. RM (min): 10uA. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 4

Corrente nominal [A]: 35A. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 400A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 35A. Pinagem: conexões de solda no circuito impresso . Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Material externo: carcaça de plástico com face de resfriamento. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 10uA. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente nominal [A]: 35A. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 35A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Material externo: carcaça de plástico com face de resfriamento. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V

VRRM: 1600V. Corrente direta (AV): 35A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Material externo: carcaça de plástico com face de resfriamento. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V

VRRM: 1600V. Corrente direta (AV): 35A. Pinagem: conexões de solda no circuito impresso . Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. IFSM: 330A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Dimensões: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tr: 1500 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V

VRRM: 50V. Corrente direta (AV): 50A. Cj: 300pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora, ponte retificadora de diodo. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MB5005. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

Corrente nominal [A]: 50A. Tensão de pico Urrm [V]: 100V. Corrente de pico Ifsm [A]: 400A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 50A. Cj: 300pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

VRRM: 400V. Corrente direta (AV): 50A. Quantidade por caixa: 4. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 50A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 400A. RM (máx.): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

Corrente nominal [A]: 50A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 400A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 50A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 400A. RM (máx.): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

Corrente nominal [A]: 50A. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 400A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 50A. Cj: 300pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora, ponte retificadora de diodo. IFSM: 500A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

Corrente nominal [A]: 50A. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 400A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Dimensões das conexões: 10.8x10.8mm. Dimensões: 15.2x15.2mm

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 6A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 125A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sim. Passo: 15.2x15.2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: Ifsm 125A (t=8.2ms)

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 6A. Cj: 186pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora, ponte retificadora de diodo. Trifásico: 0. IFSM: 125A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sim. Passo: 15.2x15.2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)