Pontes retificadoras de díodos

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 12A. Tensão limite Uf [V]: 1V. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 270A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 12A. Tensão limite Uf [V]: 1V. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 270A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 4A. Tensão limite Uf [V]: 1V. Tensão de pico Urrm [V]: 400V. Corrente de pico Ifsm [A]: 135A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Trifásico: NINCS. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 150A. Equivalentes: KBL406, RS406, RS406G. Passo: 5.08mm. Dimensões: 22x19x3.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: Ifsm 150Ap (t=8.3ms)

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 135A. RM (máx.): 10uA. Equivalentes: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08x5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Número de terminais: 4. Corrente direta (AV): 6A (2,8A sem dissipador de calor). Habitação (conforme ficha técnica): SIP-4 (21.8x18.3x3.5mm)

Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 1000V. Especificidade: rápido. Trr: <75nsec. Dimensões: 4.4x5x1.4mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 200A. Número de terminais: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensões: 19x16x6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Trifásico: 0. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 200A. Equivalentes: KBL06, RS406, RS406G. Passo: 5.08mm. Dimensões: 19x16x6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 200A. Equivalentes: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Passo: 5.08mm. Dimensões: 19x16x6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. VRRM: 800V. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 200A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: RS407. Dimensões das conexões: 5.08x5.08mm. Número de terminais: 4. Dimensões: 19x16x6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 4A. VRRM: 800V. Série: KBL. Carcaça: SIL. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 60A. Equivalentes: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Número de terminais: 4. Passo: 4x4x4mm. Dimensões: 17.5x14x6.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--60Ap

Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 600V. Carcaça: SIL. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

RoHS: NINCS. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Cj: 21pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 175A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 1000uA. Número de terminais: 4. Passo: 13x13mm. RoHS: sim. Passo: 19x19mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--175Ap

Cj: 21pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 200A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 13x13mm. RoHS: sim. Passo: 19x19mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

Corrente direta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: 13x13mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 10A. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Dimensões das conexões: diâmetro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Número de terminais: 4. Passo: 15.2x15.2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. VRRM: 400V