Pontes retificadoras de díodos

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 4A. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 200A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: RS407. Dimensões das conexões: 5.08x5.08mm. Número de terminais: 4. Dimensões: 19x16x6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 2A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 60A. Equivalentes: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Número de terminais: 4. Passo: 4x4x4mm. Dimensões: 17.5x14x6.3mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--60Ap

Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão de pico Urrm [V]: 600V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão de pico Urrm [V]: 800V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 10/15/25A. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 10A. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 10A. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 10A. Cj: 21pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 175A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 1000uA. Número de terminais: 4. Passo: 13x13mm. RoHS: sim. Passo: 19x19mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--175Ap

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 10A. Cj: 21pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 200A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 13x13mm. RoHS: sim. Passo: 19x19mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: 13x13mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente nominal [A]: 10A. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston

Corrente nominal [A]: 10A. Tensão de pico Urrm [V]: 1 kV. Corrente de pico Ifsm [A]: 200A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 400V. Corrente direta (AV): 3A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. Dimensões das conexões: diâmetro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Número de terminais: 4. Passo: 15.2x15.2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

VRRM: 400V. Corrente direta (AV): 15A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 300mA. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 29x29mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 15A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 300mA. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 29x29mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 15A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 300A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 29x29mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 25A. Cj: 300pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

VRRM: 400V. Corrente direta (AV): 25A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 300A. Número de terminais: 4. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 25A. Cj: 300pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 400A. Marcação na caixa: MB256. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: MB-25. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Nota: 28x28x11.5mm

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 25A. Cj: 300pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MB-256W. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: t=8.2ms

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 25A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 360A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 10uA. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.26V. Tensão direta Vf (min): 1.26V. Número de terminais: 4

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 25A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 360A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MB25100. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm. Número de terminais: 4. Dimensões: 28x28mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.26V. Tensão direta Vf (min): 1.26V

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 25A. Cj: 300pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 400A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 28x28mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: t=8.2ms

Corrente nominal [A]: 35A. Tensão de pico Urrm [V]: 200V. Corrente de pico Ifsm [A]: 300A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Configuração: conexão por terminais faston