Pontes retificadoras de díodos

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Trifásico: 0. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: BR306, KBPC106. Dimensões das conexões: diâmetro 0,9 mm. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sim. Passo: 15.2x15.2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 80A. Passo: 4.5mm. Dimensões: 22x18.5x3.5mm. VRRM: 600V. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--80Ap (t=8.3ms)

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 4A. Tensão limite Uf [V]: 1V. Tensão de pico Urrm [V]: 100V. Corrente de pico Ifsm [A]: 135A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Dimensões das conexões: distância entre pernas 5,6x5,6mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55°C...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Nota: diâmetro 10mm . Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (19x3.5x10mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 2.3A/1.5A. Tensão limite Uf [V]: 0.9V. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 50A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Cj: 1300pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Diodo Trr (mín.): SIL (19x3.5x10mm). Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 10A. RM (máx.): 5uA. RM (min): 0.9V. Passo: 5mm. Dimensões: 20x10x3.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 160V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: SE(AV) 1,5A, 2,3A (com dissipador de calor)

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2,2 A (ou 3,7 A se montado em dissipador de calor). IFSM: 150A (50Hz 10ms). Dimensões das conexões: 10x7.5x7.5mm. Dimensões: 32x17x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. VRRM: 80V. Número de terminais: 4

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (32x56x16mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 5A/3.3A. Tensão limite Uf [V]: 1V. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 150A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (32x56x16mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 7A/4A. Tensão limite Uf [V]: 1.05V. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 250A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Diâmetro: 10mm. RoHS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 8.3x6.4x3.1mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 1A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 40A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: redondo, Diâmetro 9mm, Altura 5,1 mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 2A/1.5A. Tensão limite Uf [V]: 1V. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 50A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 8.3x6.4x2.5mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 1A. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 45A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 8.3x6.4x2.5mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 2.3A. Tensão limite Uf [V]: 0.95V. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 65A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms

Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: KIBPC110. Dimensões das conexões: diâmetro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 15.2x15.2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 50A. VRRM: 1000V. Série: GBPC. Número de terminais: 4. Dimensões das conexões: Terminal faston de 6,35x0,8mm

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3.2A. VRRM: 200V. Spec info: GI-Br

RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 8.3x6.4x2.5mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Corrente nominal [A]: 1A. Tensão limite Uf [V]: 0.79V. Tensão de pico Urrm [V]: 100V. Corrente de pico Ifsm [A]: 40A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 25A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Marcação na caixa: D25XB60. Passo: 10x7.5x7.5mm. Dimensões: 30x20x4.6mm. RoHS: sim. VRRM: 600V. Número de terminais: 4. Spec info: pont de redressement en ligne (SIL). VRRM: 800V. Equivalentes: GBJ2508, KBJ6. Carcaça: SIL

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Número de terminais: 4. Dimensões: 24x15mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 170A. Marcação na caixa: D5SB 60. Passo: 10x7.5x7.5mm. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--170Ap

Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Trifásico: 0. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--50Ap

Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50Ap

Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4