Pontes retificadoras de díodos

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 4A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 80A. Passo: 4.5mm. Dimensões: 22x18.5x3.5mm. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--80Ap (t=8.3ms)

Corrente nominal [A]: 4A. Tensão de pico Urrm [V]: 100V. Corrente de pico Ifsm [A]: 135A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corrente direta (AV): 1.5A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Dimensões das conexões: distância entre pernas 5,6x5,6mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55°C...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Nota: diâmetro 10mm . Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

Corrente nominal [A]: 2.3A/1.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (19x3.5x10mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 0.9V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 160V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 1300pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Diodo Trr (mín.): SIL (19x3.5x10mm). Material semicondutor: silício. IFSM: 10A. RM (máx.): 5uA. RM (min): 0.9V. Passo: 5mm. Dimensões: 20x10x3.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: SE(AV) 1,5A, 2,3A (com dissipador de calor)

VRRM: 80V. Corrente direta (AV): 2,2 A (ou 3,7 A se montado em dissipador de calor). Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 150A (50Hz 10ms). Dimensões das conexões: 10x7.5x7.5mm. Dimensões: 32x17x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Número de terminais: 4

Corrente nominal [A]: 5A/3.3A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 150A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (32x56x16mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 7A/4A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 250A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SIL (32x56x16mm). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.05V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Diâmetro: 10mm. RoHS: sim

Corrente nominal [A]: 1A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 40A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 8.3x6.4x3.1mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 2A/1.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: redondo, Diâmetro 9mm, Altura 5,1 mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 1A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 45A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 8.3x6.4x2.5mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente nominal [A]: 2.3A. Tensão de pico Urrm [V]: 160V. Corrente de pico Ifsm [A]: 65A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 8.3x6.4x2.5mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 0.95V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 3A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: KIBPC110. Dimensões das conexões: diâmetro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Passo: 15.2x15.2mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 3.2A. Material semicondutor: silício. Spec info: GI-Br

Corrente nominal [A]: 1A. Tensão de pico Urrm [V]: 100V. Corrente de pico Ifsm [A]: 40A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 8.3x6.4x2.5mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 0.79V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 25A. Função: Ponte retificadora. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Marcação na caixa: D25XB60. Passo: 10x7.5x7.5mm. Dimensões: 30x20x4.6mm. RoHS: sim. Número de terminais: 4. Spec info: pont de redressement en ligne (SIL). Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 350A

Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Número de terminais: 4. Dimensões: 24x15mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 6A. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. IFSM: 170A. Marcação na caixa: D5SB 60. Passo: 10x7.5x7.5mm. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--170Ap

VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 1A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Trifásico: 0. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap

VRRM: 400V. Corrente direta (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap

VRRM: 600V. Corrente direta (AV): 1A. Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1A. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. Dimensões: 7.4x6.2x3.2mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente nominal [A]: 1.5A. Tensão de pico Urrm [V]: 1000V. Corrente de pico Ifsm [A]: 60A. RoHS: sim. Família de componentes: Ponte de diodo (Graetz). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: DB-S. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão limite Uf [V]: 1.0V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C