Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BR152. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)
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Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)
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Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 2 AMPS. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Marcação na caixa: 2W06. Passo: 5.6x5.6mm. Dimensões: 10mm de diâmetro. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)
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Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 2 AMPS. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Marcação na caixa: 2W06. Passo: 5.6x5.6mm. Dimensões: 10mm de diâmetro. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 4. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)
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Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)
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Cj: 24pF. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Single Phase 1.5 AMPS. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: diâmetro 10mm . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.6x5.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)
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