Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sem furo de fixação), 800V - IXFX34N80

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sem furo de fixação), 800V - IXFX34N80
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Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sem furo de fixação), 800V - IXFX34N80. Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sem furo de fixação), 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.24 Ohms. Carcaça: PLUS247. Habitação (conforme ficha técnica): PLUS-247 (TO247 sem furo de fixação). Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 7500pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 136A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 560W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 23/04/2025, 02:25.

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Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Id...
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Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.24 Ohms. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 7500pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 136A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 560W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS
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Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.24 Ohms. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 7500pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 136A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 560W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS
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