Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. IFSM: 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 36V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms