Diodos supressores transitórios

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. IFSM: 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 36V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 36V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 36V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor bidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 36V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor bidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 36V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 36V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. IFSM: 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 48V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 59.2V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 48V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor bidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 48V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 58.9V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 48V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. IFSM: 100A. Marcação na caixa: KD. Tensão de ruptura: 5V. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD KD. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 5V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] @ Ibr [A]: 7V @ 10mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 5V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] @ Ibr [A]: 6.74V @ 10mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 50uA @ 5V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 5V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] @ Ibr [A]: 6.74V @ 10mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 50uA @ 5V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor bidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 5V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] @ Ibr [A]: 7V @ 10mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. IFSM: 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 6V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. IFSM: 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 60V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms

RoHS: sim. Família de componentes: diodo de supressão transitória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 7.5V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 8.33V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 9.21V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 100uA @ 7.5V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor bidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 78V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.7V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 95.8V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 78V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 8V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 8.89V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 9.83V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 50uA @ 8V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 9V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: Supressor bidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 9V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: supressor unidirecional montado em superfície (1500W @1ms). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 5.8V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Equivalentes: 1.5SMCJ12A. Tensão de ruptura: 12V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Tolerância: 5%. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Tensão de ruptura: 13V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Tensão de ruptura: 14V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: diodo de supressão transitória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 15V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor bidirecional (1500W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 15V. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: bidirecional. Ubr [V] @ Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C