Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. IFSM: 102A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO218AB 13.5x10mm. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -55...+175°C. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM 700Ap/8.3ms 6600W, T=10/1000us