SMBJ16A

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5-24
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25-49
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SMBJ16A. Carcaça: DO-214. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 16V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Função: proteção contra sobretensão. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AA ( 5.2x3.6mm ). IFSM: 100A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 16V. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tipo de supressor transitório: unidirecional. Tolerância: 5%. Ubr [V] @ Ibr [A]: 19.7V @ 1mA. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:00

Documentação técnica (PDF)
SMBJ16A
25 parâmetros
Carcaça
DO-214
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 16V
Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]
600W @ 1ms
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Família de componentes
Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD)
Função
proteção contra sobretensão
Habitação (conforme ficha técnica)
SMC DO214AA ( 5.2x3.6mm )
IFSM
100A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
600W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de retenção de direção fechada [V]
16V
Tensão limite Vf (máx.)
5V
Tipo de supressor transitório
unidirecional
Tolerância
5%
Ubr [V] @ Ibr [A]
19.7V @ 1mA
Produto original do fabricante
ON Semiconductor