SMBJ12A. Carcaça: DO-214. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Supressor unidirecional (600W @ 1ms), Componente montado em superfície (SMD). Função: proteção contra sobretensão. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). IFSM: 100A. Marcação na caixa: LE. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD LE. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 12V. Tensão de ruptura: 12V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tipo de supressor transitório: unidirecional. Tolerância: 5%. Ubr [V] @ Ibr [A]: 14.7V @ 1mA. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:00