SMBJ12A

SMBJ12A. RoHS: sim. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: proteção contra sobretensão. IFSM: 100A. Nota: serigrafia/código SMD LE. Marcação na caixa: LE. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 12V. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Produto original do fabricante Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 12:25.