SMBJ36A. Carcaça: DO-214. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Corrente de pulso máx.: 10.3A. Corrente de vazamento: 1uA. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: unidirecional. Família de componentes: diodo de supressão transitória. Função: proteção contra sobretensão. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). IFSM: 100A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Potência: 600W. Propriedades do semicondutor: Passivado de vidro. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 36V. Tensão de ruptura: 36V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão reversa máxima: 36V. Tipo de diodo: TVS. Tipo de supressor transitório: unidirecional. Tolerância: 5%. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. VRRM: 36V. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:00