SMBJ5-0A. Carcaça: DO-214. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: proteção contra sobretensão. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). IFSM: 100A. Marcação na caixa: KD. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD KD. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de ruptura: 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tolerância: 5%. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:00