SMBJ6-0A
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SMBJ6-0A. Carcaça: DO-214. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: proteção contra sobretensão. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). IFSM: 100A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tolerância: 5%. VRRM: 6V. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:00
SMBJ6-0A
18 parâmetros
Carcaça
DO-214
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
proteção contra sobretensão
Habitação (conforme ficha técnica)
SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm )
IFSM
100A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
600W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão direta Vf (min)
3.5V
Tensão limite Vf (máx.)
5V
Tolerância
5%
VRRM
6V
Produto original do fabricante
Taiwan Semiconductor