Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BY500-600

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BY500-600. RoHS: NINCS. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D5.4x7.5mm. Carcaça (padrão JEDEC): diodo retificador rápido de silício. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 5A. Ism [A]: 220A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 200 ns. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.3V @ 5A. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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BY500-1000

BY500-1000

Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns....
BY500-1000
Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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BY500-800
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V
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Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V
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