Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BUH315D

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BUH315D. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Alta resolução . Ganho máximo de hFE: 9. Ganho mínimo de hFE: 2.5. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 07:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Spec info: 33 Ohms
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Spec info: 33 Ohms
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