Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD313

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD313
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD313. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 65pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: D313Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 14/06/2025, 07:25.

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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V, 100V, 3A. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 3A. RoHS: sim. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 40W. Frequência máxima: 3MHz
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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V, 100V, 3A. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 3A. RoHS: sim. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 40W. Frequência máxima: 3MHz
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 24. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP32C . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 24. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP32C . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
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