Quantidade (Conjunto de 5) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 2 | 0.75€ | 0.92€ |
3 - 4 | 0.71€ | 0.87€ |
5 - 9 | 0.67€ | 0.82€ |
10 - 19 | 0.66€ | 0.81€ |
20 - 49 | 0.63€ | 0.77€ |
50 - 99 | 0.61€ | 0.75€ |
100 - 2000000 | 0.58€ | 0.71€ |
Quantidade (Conjunto de 5) | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 0.75€ | 0.92€ |
3 - 4 | 0.71€ | 0.87€ |
5 - 9 | 0.67€ | 0.82€ |
10 - 19 | 0.66€ | 0.81€ |
20 - 49 | 0.63€ | 0.77€ |
50 - 99 | 0.61€ | 0.75€ |
100 - 2000000 | 0.58€ | 0.71€ |
Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 50V - 2SA673A. Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Amplificador de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon PNP Epitaxial. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 4 v. Produto original do fabricante Hitachi. Quantidade em estoque atualizada em 13/06/2025, 14:25.
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