Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, EMT6. Habitação (conforme ficha técnica): EMT6. Marcação na caixa: H9C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD SO6*. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Nota: serigrafia/código SMD H9C

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: INFI->PANAS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: transistor unijunção UJT, hi-beta, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) ZTX788. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX550. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX551. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Corrente do coletor: 300mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 240 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX753. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX790. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat)0,92V. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V