Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: N83003. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 1000. Spec info: transistor complementar (par) STN93003. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 215pF. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Transistor de potência NPN de comutação rápida de baixa tensão. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 1000. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: HIGH SWITCH. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: alta velocidade. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: ISOWATT218. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Função: comutação, amplificador de áudio. Spec info: transistor complementar (par) TIP107. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Nota: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 2pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Nota: >1000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-220. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP120. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP122. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: silício. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) TIP127

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. Resistor BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (pol.): TO-220. Custo): 200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: +150°C. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Função: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: transistor complementar (par) TIP127G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP132. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: 15000. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Vebo: 5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) TIP137

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 60pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Resistor B: Transistor de potência Darlington . C (pol.): 100V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP147 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP147T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) TIP2955. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Baixa tensão de saturação coletor-emissor

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 24. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 5A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP32C . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Data de produção: 1450. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 125W. Frequência máxima: 3MHz. Spec info: transistor complementar (par) TIP36C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 25A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP35CG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP42C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100V, 6A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 400V, 1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 1W

Transistor NPN, 50V, 3A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.75W. Frequência máxima: 90MHz

Transistor NPN, 18A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 18A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: De alta velocidade.. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 35A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. Função: Vbe(sat)1.5V. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: com resistor de polarização Rbe. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: com resistor de polarização Rbe. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS