Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 240 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX753. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX790. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat)0,92V. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V